OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET是先进的下一代创新性器件，性能极为出色。OptiMOS 6系列采用薄晶圆技术，显著提升了性能。与同类产品相比，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低了30％，并针对同步整流进行了优化。

结果: 107
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
14,828预期 2027/5/6
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
9,550预期 2026/8/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
7,495预期 2026/10/15
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
4,834预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.5 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
5,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 171 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 80 V - 55 C + 175 C 167 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape