结果: 557
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3 1200V XPT IGBT
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
数据表
4库存量
300预期 2026/11/6
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 5 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V 220A XPT IGBT
数据表
42库存量
250预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 240 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 900V 8A 2.5V XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT) GenX3
数据表
59库存量
350预期 2026/7/6
最低： 1
倍数： 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, Diode 1200V, 75A
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 120 Amps 600V
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 200 A 780 W - 55 C + 150 C IXGX120N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO247
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 3KV 55A BIMOSFET
数据表
1,275预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 75 Amps 1200V
数据表
1,495在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 150 A 660 W - 40 C + 150 C IXDN75N120 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30 Amps 600V
数据表
2,708在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 2500V 75A IGBT
数据表
300预期 2026/9/14
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264 Through Hole Single 2.5 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 170 A 780 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
数据表
864预期 2026/11/2
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 300 A 830 W - 55 C + 150 C IXGN200N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
数据表
1,133在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V 20 V 80 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR72N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/105A; Copack
数据表
780在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 105 A 500 W - 55 C + 150 C IXYN82N120 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT BIMSFT-VERY HIV OLT
数据表
300预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Single 3 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH30N120C4H1
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH55N120C4H1
数据表
630预期 2026/7/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 126 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 2500V 2A IGBT
数据表
298预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
数据表
180预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 350 W - 55 C + 150 C IXGH32N170 Tube

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 72 Amps 600V 1.35 Rds
数据表
550预期 2026/11/9
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH72N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO220 600V 48A GENX3
数据表
600预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
300预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXXH50N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 20A XPT
数据表
1,416预期 2026/8/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 1700V 16A IGBT
数据表
261预期 2026/8/31
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube