TO-247-3 半导体

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Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications 154库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications 497库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 60

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications 546库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications 348库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT7 PR7 optimized for boost PFC stage like RAC/CAC and HVAC applications 328库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 71库存量
480预期 2026/6/29
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 237库存量
最低: 1
倍数: 1

Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 302库存量
480预期 2026/8/13
最低: 1
倍数: 1

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD 281库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ohm10V, TO-247, DTMOS6 41库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH 115库存量
最低: 1
倍数: 1

Toshiba 碳化硅肖特基二极管 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247 28库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN111-650WSB/SOT429 /TO-247 96库存量
最低: 1
倍数: 1

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65H3DFP/SOT429/TO-247 227库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW60T65M3DFP/SOT429/TO-247 239库存量
最低: 1
倍数: 1
: 30

Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DF/SOT429/TO-247 303库存量
最低: 1
倍数: 1

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 30库存量
3,150预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

APC-E 碳化硅MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade 300库存量
最低: 1
倍数: 1

APC-E 碳化硅肖特基二极管 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade 274库存量
最低: 1
倍数: 1

APC-E 碳化硅肖特基二极管 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade 271库存量
最低: 1
倍数: 1


STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package 382库存量
最低: 1
倍数: 1

Panjit 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor 834库存量
最低: 1
倍数: 1



STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a 522库存量
最低: 1
倍数: 1

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET 283库存量
最低: 1
倍数: 1

IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH40N120B4H1 341库存量
最低: 1
倍数: 1