SiC MOSFET 分立半导体

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结果: 57
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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
80库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V 450库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
数据表
300库存量
480预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U07
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
数据表
1,665库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 50

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
234库存量
60预期 2026/6/19
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
1,843库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
255库存量
750预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
375库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
数据表
869库存量
最低： 1
倍数： 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
数据表
1,659库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
数据表
1,002库存量
2,000预期 2027/1/28
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HSOF-8
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
数据表
276库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
数据表
277库存量
720在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
数据表
396库存量
480预期 2027/4/29
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
数据表
483库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
数据表
826库存量
240预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1
最大： 70

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
数据表
776库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
数据表
790库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
数据表
760库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
394库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
IXYS 碳化硅MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
数据表
392库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
120库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
SemiQ 碳化硅MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
数据表
97库存量
30预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
数据表
69库存量
480预期 2026/6/29
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
数据表
237库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3