Tray 动态随机存取存储器

结果: 966
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
数据表
5,832在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160J Tray
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
数据表
3,693预期 2026/8/11
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
1,563在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
3,626在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
484预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
数据表
4,152预期 2026/7/1
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
190预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32400F Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 2G, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
792预期 2026/6/22
最低： 1
倍数： 1
SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 225 ps 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
数据表
205预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
数据表
273在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
数据表
1,836预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C4M16SA Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (A-die), Industrial Temp - Tray
数据表
627预期 2026/7/31
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D2A Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray
数据表
190预期 2026/6/24
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray
数据表
380预期 2026/6/23
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Tray
ISSI 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
数据表
836预期 2026/11/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640B Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
数据表
479预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR
数据表
1,210在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
数据表
672预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
1,145预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
数据表
275预期 2026/6/18
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
数据表
1,200预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
数据表
204预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C128M16D2A-25 Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
数据表
417预期 2027/1/21
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 166MHz, Commercial Temp - Tray
数据表
107预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1
SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C64M16D1 Tray
Alliance Memory MT40A512M16TD-062E:R
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR4 (MICRON), 8Gb, 512M x 16, 1.2V, 96-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp Rev.B
数据表
35预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1
Tray