Nexperia PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET
恩智浦 PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET 是一款采用无铅超小型 SOT1216 表面贴装器件（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET)。这些器件采用沟槽式 MOSFET 技术，具备热传导性能出色的暴露型漏极垫，具有 >1kV HBM ESD 保护功能，并提供 470mΩ 漏极-源极导通电阻。PMDXBx MOSFET 提供 双 N 和 P 沟道版本。这些 MOSFET 特别适合继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关、开关电路等应用。
特性
- Trench MOSFET technology
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1kV HBM
- Low drain-source on-state resistance (RDS(on))
- 1.1mm x 1.0mm x 0.37mm DFN1010B-6 (SOT1216) package
应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- Low-side load switch
- Switching circuits
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Package Outline
发布日期: 2015-05-28
| 更新日期: 2022-03-11