ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V耐压增强型GaN FET
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V耐压增强型氮化镓 (GaN) FET采用低导通电阻和高速开关，可提高电源转换效率并减小尺寸。高度可靠的GNP1 FET提供内置ESD保护和出色的散热性能，便于安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。
特性
- 650V耐压增强型GaN FET
- 低导通电阻
- 高速开关
- 内置ESD保护
- 高度可靠的设计
- 帮助提高电源转换效率并减小尺寸
- 出色的散热性
- 符合RoHS指令
应用
- 高开关频率转换器
- 高密度转换器
规范
- GNP1070TC-Z
- 封装样式：DFN8080K
- 连续漏极电流范围：7.3A至20A
- 脉冲漏极电流范围：24A至66A
- 漏源电压：650V
- 瞬态漏源电压：750V
- 栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC
- 瞬态栅源电压：8.5V
- +25℃时功耗：56W
- 栅极输入电阻：0.86Ω（典型值）
- 输入电容：200pF（典型值）
- 输出电容：50pF（典型值）
- 输出电荷：44nC
- 总栅极电荷：5.2nC（典型值）
- 接通延迟时间：5.9ns（典型值）
- 上升时间：6.9ns（典型值）
- 关闭延迟时间：8.0ns（典型值）
- 下降时间：8.7ns（典型值）
- GNP1150TCA-Z
- 封装样式：DFN8080AK
- 连续漏极电流范围：5A至11A
- 脉冲漏极电流范围：17A至35A
- 漏源电压：650V
- 瞬态漏源电压：750V
- 栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC
- 瞬态栅源电压：8.5V
- +25℃时功耗：62.5W
- 栅极输入电阻：2.6Ω（典型值）
- 输入电容：112pF（典型值）
- 输出电容：19pF（典型值）
- 输出电荷：18.5nC
- 总栅极电荷：2.7nC（典型值）
- 接通延迟时间：4.7ns（典型值）
- 上升时间：5.3ns（典型值）
- 关闭延迟时间：6.2ns（典型值）
- 下降时间：8.3ns（典型值）
视频
发布日期: 2023-05-16
| 更新日期: 2023-08-31