Vishay Semiconductors TA6FxxCA PAR®瞬态电压抑制器

Vishay Semicductors TA6FxxCA PAR®瞬态电压抑制器是双向型器件,具有600W峰值脉冲功率和 10/1000μs波形。这些器件采用非常薄型的封装,典型高度为0.95mm。这些电压抑制器能够在185°C的结温 (TJ) 下工作,适合满足高可靠性和汽车电子要求。Vishay Semicductors TA6FxxCA PAR®瞬态电压抑制器采用结钝化优化设计,采用各向异性整流技术钝化,具有出色的箝位能力。

特性

  • 外形极薄,典型高度为0.95mm
  • 结钝化优化设计,采用各向异性整流器技术进行钝化
  • 能够在185°C的结温 (TJ) 下工作,适合满足高可靠性和汽车电子要求。
  • 自动贴装的理想选择
  • 双向
  • 出色的钳位能力
  • 峰值脉冲功率为600W(10/1000μs)
  • 符合AEC-Q101标准
  • ESD性能符合IEC 61000-4-2标准
    • 30kV(空气)
    • 30kV(接触)
  • 根据J-STD-020标准,符合MSL 1级要求,低频最高峰值温度为260°C
  • SlimSMA (DO-221AC) 封装
  • 模塑料符合UL 94 V-0易燃性等级标准
  • 底座P/NHM3不含卤素,符合RoHS指令,并符合 AEC-Q101标准。
  • 端子为哑光镀锡引线,可根据J-STD-002和JESD22-B102标准进行焊接
  • HM3后缀符合JESD 201标准第2类晶须测试
  • 极性(双向型无阴极带)

规范

  • 击穿电压 (VBR) 可从12V至100V
  • 隔离电压 (VWM) 可从10.2V至85.5V
  • 峰值脉冲功率耗散 (PPPM):8W
  • 最高工作结温:185°C

应用

  • 用于保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷电引起的瞬态电压影响。
    • IC
    • MOSFET
    • 汽车传感器单元的信号线

封装外形尺寸

机械图纸 - Vishay Semiconductors TA6FxxCA PAR®瞬态电压抑制器
发布日期: 2025-01-08 | 更新日期: 2025-01-23