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恩智浦 PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET 是一款采用无铅超小型 DFN1006B-3(SOT883B0)表面贴装器件（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET)。该器件采用沟槽式 MOSFET 技术，具备低阈值电压，开关速度非常快，同时提供 1.8kV ESD 保护。

这些 PMZB350UPE MOSFET 特别适合继电器驱动器、高速线路驱动器、高侧负载开关、开关电路等应用。