IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW60R017C7XKSA1
IPW60R017C7XKSA1

制造商:

说明:
MOSFET HIGH POWER_NEW

ECAD模型:
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库存量: 1,702

库存:
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生产周期:
52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥149.5555 ¥149.56
¥91.5639 ¥2,289.10
¥84.2867 ¥8,428.67
¥84.2076 ¥20,209.82

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
109 A
17 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
240 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: CoolMOS C7
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 106 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IPW60R017C7 SP001313542
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

Application Notes

Other

Product Catalogs

SPICE Models

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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