ALD110900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900ASAL
Price: 60.54 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

585-ALD110900ASAL

制造商编号：

ALD110900ASAL

制造商：

Advanced Linear Devices

说明：

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

数据表:

ALD110900ASAL 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 17

预期 2026/8/13
生产周期：: 14

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥68.4102	¥68.41
	¥40.7817	¥407.82
	¥37.3917	¥3,739.17
	¥34.8266	¥17,413.30

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Advanced Linear Devices
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	10 V
Id-连续漏极电流:	12 mA
Rds On-漏源导通电阻:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	0 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Depletion
封装:	Tube
商标:	Advanced Linear Devices
配置:	Dual
产品类型:	MOSFETs
系列:	ALD110900A
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	74 mg