ALD110900ASAL

Name: Advanced Linear Devices ALD110900ASAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD110900ASAL
Price: 58.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

585-ALD110900ASAL

制造商编号：

ALD110900ASAL

制造商：

Advanced Linear Devices

说明：

MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

数据表:

ALD110900ASAL 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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	¥42.1829	¥421.83
	¥32.2615	¥3,226.15
	¥27.5494	¥13,774.70

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Advanced Linear Devices
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	10 V
Id-连续漏极电流:	12 mA
Rds On-漏源导通电阻:	500 Ohms, 500 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	0 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
Pd-功率耗散:	500 mW
通道模式:	Depletion
封装:	Tube
商标:	Advanced Linear Devices
配置:	Dual
产品类型:	MOSFETs
系列:	ALD110900A
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	74 mg