AS4C64M8SC-7TIN

Name: Alliance Memory AS4C64M8SC-7TIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C64M8SC-7TIN
Price: 282.04 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

913-AS4C64M8SC-7TIN

制造商编号：

AS4C64M8SC-7TIN

制造商：

Alliance Memory

说明：

动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 512MB, 64M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Alliance Memory
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM
存储容量:	512 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	133 MHz
封装 / 箱体:	TSOP-II-54
组织:	64 M x 8
访问时间:	17 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	AS4C64M8SC
封装:	Tray
商标:	Alliance Memory
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	108
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	60 mA

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数据表

AS4C64M8SC-7TIN 数据表 (PDF)

REACH Declaration (PDF)

合规代码

USHTS:: 8542320028
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 中国台湾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.