AS6C6416-55BIN

Name: Alliance Memory AS6C6416-55BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS6C6416-55BIN
Price: 395.72 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

913-AS6C6416-55BIN

制造商编号：

AS6C6416-55BIN

制造商：

Alliance Memory

说明：

静态随机存取存储器 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch 静态随机存取存储器 IT

数据表:

AS6C6416-55BIN 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Alliance Memory
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	64 Mbit
组织:	4 M x 16
访问时间:	55 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.7 V
电源电流—最大值:	20 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FBGA-48
封装:	Tray
商标:	Alliance Memory
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	AS6C6416-55
工厂包装数量:	220
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous

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数据表

AS6C6416-55BIN 数据表 (PDF)

REACH Declaration (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国台湾
扩散国家:: 中国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.