DGD05473FN-7

Diodes Incorporated
621-DGD05473FN-7
DGD05473FN-7

制造商:

说明:
栅极驱动器 HV Gate Driver

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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Diodes Incorporated
产品种类: 栅极驱动器
发货限制:
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RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
W-DFN3030-10
2 Driver
2 Output
2.5 A
4.5 V
14 V
16 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Diodes Incorporated
特点: Internal bootstrap Diode included, Undervoltage Lockout
逻辑类型: CMOS, TTL
湿度敏感性: Yes
工作电源电流: 7.3 mA
Pd-功率耗散: 400 mW
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 35 ns
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 51 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

DGD 半桥栅极驱动器

Diodes Incorporated DGD半桥栅极驱动器是能够以半桥配置驱动N通道MOSFET和IGBT的高压和高速栅极驱动器。在自举操作中,可以通过高压处理技术将高侧切换至偏移电压。DGD逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,可与控制器件轻松连接。Diodes Incorporated栅极驱动器非常适合用于直流-直流转换器、直流-交流逆变器、交流-直流电源、电机控制以及D类功率放大器。

栅极驱动器

Diodes Incorporated栅极驱动器适用于电力系统和电机驱动领域的诸多应用。这些栅极驱动器可作为微控制器和IGBT或MOSFET电源开关之间的接口。这些栅极驱动器具有出色的驱动特性,并可控制击穿电压。

供货情况

库存: