DMN2004VK-7B

Name: Diodes Incorporated DMN2004VK-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN2004VK-7B
Price: 3.37 RMB
Availability: OutOfStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN2004VK-7B

制造商编号：

DMN2004VK-7B

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K

数据表:

DMN2004VK-7B 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-563-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	540 mA
Rds On-漏源导通电阻:	550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	250 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	36.1 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13.3 ns
工厂包装数量:	8000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	53.5 ns
典型接通延迟时间:	8 ns
单位重量:	6 mg

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PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.