您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

DMN4036LK3-13

Name: Diodes Incorporated DMN4036LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN4036LK3-13
Price: 7.83 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN4036LK3-13

制造商编号：

DMN4036LK3-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL

数据表:

DMN4036LK3-13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	12.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	9.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	4.12 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	9.5 ns
正向跨导 - 最小值:	19.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11.7 ns
系列:	DMN40
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11.6 ns
典型接通延迟时间:	3.2 ns
单位重量:	330 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMN4036LK3-13 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

特色产品

DIODES INCORPORATED

DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET

将两个MOSFET集成到单个PowerDI^®5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。

了解更多的信息

2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管

具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。

了解更多的信息

DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET

具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

了解更多的信息

DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET

采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。

了解更多的信息

DMN2992UFA 20V N沟道增强模式MOSFET

20V N沟道MOSFET专为最小化导通电阻R_DS(ON)）而设计，采用X2-DFN0806-3封装。

了解更多的信息

库存量: 189

库存：: 189 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.8479	¥8.85
	¥4.1697	¥41.70
	¥3.5934	¥359.34
	¥3.1753	¥1,587.65
	¥2.7911	¥2,791.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥2.26	¥5,650.00
	¥1.9775	¥9,887.50
	¥1.8532	¥46,330.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

DMN4036LK3-13

制造商： Diodes Incorporated

说明： MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL

规格

文件 (4)

数据表

PCN

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

Power MOSFETs

客户还购买了

特色产品 DIODES INCORPORATED

库存量: 189

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL

特色产品

DIODES INCORPORATED