DMT12H090LFDF4-7

Name: Diodes Incorporated DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT12H090LFDF4-7
Price: 11.49 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

621-DMT12H090LFDF4-7

制造商编号：

DMT12H090LFDF4-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V X2-DFN2020-6 T&R 3K

数据表:

DMT12H090LFDF4-7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	X2-DFN2020-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	115 V
Id-连续漏极电流:	3.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	900 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	3.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.6 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	9.3 ns
典型接通延迟时间:	2.2 ns
单位重量:	1 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.