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DMTH10H005LCT

Name: Diodes Incorporated DMTH10H005LCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH10H005LCT
Price: 27.16 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMTH10H005LCT

制造商编号：

DMTH10H005LCT

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V

数据表:

DMTH10H005LCT 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	140 A
Rds On-漏源导通电阻:	4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.4 V
Qg-栅极电荷:	114 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	187 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Single
下降时间:	53.1 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26.9 ns
系列:	DMTH10H005
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	83.6 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMTH10H005LCT 数据表 (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.