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DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 20.28 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMTH64M2LPDW-13

制造商编号：

DMTH64M2LPDW-13

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

DMTH64M2LPDW-13 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI5060-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	90 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	48 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	74 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	38 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
系列:	DMTH64M2LPDW
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	55 ns
典型接通延迟时间:	5.2 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

DMTH64M2LPDW-13 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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