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ZXMN6A09DN8TA

Name: Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMN6A09DN8TA
Price: 22.4 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

522-ZXMN6A09DN8TA

制造商编号：

ZXMN6A09DN8TA

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS

数据表:

ZXMN6A09DN8TA 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	5.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	24.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.1 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	4.6 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	ZXMN6A
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	25.3 ns
典型接通延迟时间:	4.9 ns
单位重量:	750 mg

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已选择的属性: 0

                        
Zetex Semiconductors

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5-0903-14

筛选文档:

数据表

ZXMN6A09DN8TA 数据表 (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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