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DI110N06D2

Name: Diotec Semiconductor DI110N06D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI110N06D2
Price: 21.96 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

637-DI110N06D2

制造商编号：

DI110N06D2

制造商：

Diotec Semiconductor

说明：

MOSFET MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N

数据表:

DI110N06D2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diotec Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	110 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	75 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	62.5 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Diotec Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	69 ns
系列:	DI110N
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	27 ns
典型接通延迟时间:	39 ns

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数据表

DI110N06D2 数据表 (PDF)

Application Notes

Models

STEP File Download (邮政)

Full Material Declaration (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.