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现货

RoHS

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IS42S83200J-7TL-TR

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-42S83200J7TLTR

制造商编号：

IS42S83200J-7TL-TR

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R

数据表:

IS42S83200J-7TL-TR 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM
存储容量:	256 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	143 MHz
封装 / 箱体:	TSOP-II-54
组织:	32 M x 8
访问时间:	5.4 ns
电源电压-最小:	3 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	0 C
最大工作温度:	+ 70 C
系列:	IS42S83200J
封装:	Reel
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	120 mA

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已选择的属性: 0

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数据表

IS42S83200J-7TL-TR 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542320000
USHTS:: 8542320028
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM

低压存储器器件，有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择，非常适合用于移动应用。

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512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM

内部设置8个内存组的高速DRAM器件。

了解更多的信息

提供高达2133Mbps的数据传输速率。

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 52 周预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1500 倍数： 1500

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥50.1268	¥75,190.20

备用包装

制造商零件编号:

IS42S83200J-7TL

包装:

供货情况:

库存量

单价:

¥76.6818

最小:

1