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现货

RoHS

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IS42VM32160E-75BLI

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-I42VM32160E75BLI

制造商编号：

IS42VM32160E-75BLI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR

数据表:

IS42VM32160E-75BLI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	SDRAM Mobile
存储容量:	512 Mbit
数据总线宽度:	32 bit
最大时钟频率:	133 MHz
封装 / 箱体:	BGA-90
组织:	16 M x 32
访问时间:	6 ns
电源电压-最小:	1.7 V
电源电压-最大:	1.95 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
系列:	IS42VM32160E
封装:	Tray
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	240
子类别:	Memory & Data Storage
电源电流—最大值:	80 mA
单位重量:	203 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS42VM32160E-75BLI 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
JPHTS:: 854232021
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM

低压存储器器件，有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择，非常适合用于移动应用。

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512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM

内部设置8个内存组的高速DRAM器件。

了解更多的信息

提供高达2133Mbps的数据传输速率。

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

了解更多的信息

供货情况

库存：: 0

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在途量:: 960

预期 2027/8/9
生产周期：: 52

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥124.5712	¥124.57
	¥115.4747	¥1,154.75
	¥111.8361	¥2,795.90
	¥106.6155	¥5,330.78
	¥103.8922	¥10,389.22