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现货

RoHS

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IS61NLP25636A-200B3LI

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-61NLP25636A2B3LI

制造商编号：

IS61NLP25636A-200B3LI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS

数据表:

IS61NLP25636A-200B3LI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	9 Mbit
组织:	256 k x 36
访问时间:	3.1 ns
最大时钟频率:	200 MHz
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.465 V
电源电压-最小:	3.135 V
电源电流—最大值:	280 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	FBGA-165
封装:	Tray
商标:	ISSI
数据速率:	SDR
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS61NLP25636A
工厂包装数量:	144
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Synchronous

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS61NLP25636A-200B3LI 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 8542320194
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

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包含使用自刷新DRAM阵列的8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机访问存储器 (RAM)。

了解更多的信息

采用JEDEC xSPI接口的高速、低引脚数存储产品组合。

了解更多的信息

IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

库存量: 2

库存：: 2 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥266.341	¥266.34
	¥246.6564	¥2,466.56
	¥238.882	¥5,972.05
	¥233.006	¥11,650.30
	¥224.6553	¥22,465.53