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现货

RoHS

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IS62WV51216EFBLL-45BLI

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-62W51216EFBL45BI

制造商编号：

IS62WV51216EFBLL-45BLI

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS

数据表:

IS62WV51216EFBLL-45BLI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	8 Mbit
组织:	512 k x 16
访问时间:	45 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.2 V
电源电流—最大值:	35 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	BGA-48
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS62WV51216EFBLL
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
商标名:	PowerSaver
类型:	High Speed

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已选择的属性: 0

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数据表

IS62WV51216EFBLL-45BLI 数据表 (PDF)

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合规代码

CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

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包含使用自刷新DRAM阵列的8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机访问存储器 (RAM)。

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采用JEDEC xSPI接口的高速、低引脚数存储产品组合。

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IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

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供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 480 倍数： 480

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥72.7042	¥34,898.02