跳到主内容

TTI Family of Specialists旗下成员联系贸泽（上海）免费电话: 400-821-6111反馈

更改位置中文¥ RMB

免费电话: 400-821-6111 更改位置

现货

RoHS

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

IS64WV6416EEBLL-10BLA3

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-64W6416EEBLL10B3

制造商编号：

IS64WV6416EEBLL-10BLA3

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp

数据表:

IS64WV6416EEBLL-10BLA3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	1 Mbit
组织:	64 k x 16
访问时间:	10 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.4 V
电源电流—最大值:	35 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	mBGA-48
封装:	Tray
商标:	ISSI
存储类型:	SRAM
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS64WV6416EEBLL
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS64WV6416EEBLL-10BLA3 数据表 (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

了解更多的信息

包含使用自刷新DRAM阵列的8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机访问存储器 (RAM)。

了解更多的信息

采用JEDEC xSPI接口的高速、低引脚数存储产品组合。

了解更多的信息

IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 12 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 480 倍数： 480

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥40.2054	¥19,298.59