IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

Name: ISSI IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-6E4M16EBLL70BLIT
Price: 58.78 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

870-6E4M16EBLL70BLIT

制造商编号：

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

制造商：

ISSI

说明：

静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	静态随机存取存储器
RoHS:
存储容量:	64 Mbit
组织:	4 M x 16
访问时间:	70 ns
接口类型:	Parallel
电源电压-最大:	3.6 V
电源电压-最小:	2.7 V
电源电流—最大值:	30 mA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TFBGA-48
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ISSI
存储类型:	SDR
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	SRAM
系列:	IS66WVE4M16EBLL
工厂包装数量:	2500
子类别:	Memory & Data Storage
类型:	Asynchronous

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

特色产品

ISSI

串行RAM器件

包含8Mb/16Mb/32Mb伪静态随机存取存储器 (RAM)，使用自刷新DRAM阵列。

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QuadRAM器件

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Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

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Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

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库存量: 149

库存：: 149

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在途量:: 2,500
生产周期：: 24

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥66.4214	¥66.42
	¥61.8675	¥618.68
	¥59.9691	¥1,499.23
	¥57.2345	¥2,861.73
	¥55.8333	¥5,583.33
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥55.8333	¥139,583.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

制造商： ISSI

说明： 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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说明：

静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

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