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现货

RoHS

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IS66WVH8M8DBLL-100B1LI

ISSI

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

870-8M8DBLL100B1LI

制造商编号：

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI

制造商：

ISSI

说明：

动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

数据表:

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ISSI
产品种类:	动态随机存取存储器
RoHS:
类型:	HyperRAM
存储容量:	64 Mbit
数据总线宽度:	8 bit
最大时钟频率:	100 MHz
封装 / 箱体:	TFBGA-24
组织:	8 M x 8
电源电压-最小:	2.7 V
电源电压-最大:	3.6 V
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
封装:	Tray
商标:	ISSI
湿度敏感性:	Yes
安装风格:	SMD/SMT
产品类型:	DRAM
工厂包装数量:	480
子类别:	Memory & Data Storage

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IS66WVH8M8DBLL-100B1LI 数据表 (PDF)

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合规代码

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

ISSI

LPDDR4和LPDDR4X移动SDRAM

低压存储器器件，有2Gb、4Gb和8Gb密度可供选择，非常适合用于移动应用。

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512Mbx8和256Mbx16 DDR4 SDRAM

内部设置8个内存组的高速DRAM器件。

了解更多的信息

提供高达2133Mbps的数据传输速率。

了解更多的信息

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

了解更多的信息

Mobile LPDDR2 SDRAM

High-speed operation, using a double data rate architecture, a prefetch architecture.

了解更多的信息

库存量: 387

库存：: 387 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 28 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥44.5785	¥44.58
	¥41.5275	¥415.28
	¥40.2845	¥1,007.11
	¥39.3692	¥1,968.46
	¥38.4652	¥3,846.52
	¥36.3069	¥9,076.73