IXFH52N30Q

Name: IXYS IXFH52N30Q
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH52N30Q
Price: 137.76 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFH52N30Q

制造商编号：

IXFH52N30Q

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 300V 52A

数据表:

IXFH52N30Q 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	300 V
Id-连续漏极电流:	52 A
Rds On-漏源导通电阻:	60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	150 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	360 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	25 ns
正向跨导 - 最小值:	35 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	60 ns
系列:	IXFH52N30
工厂包装数量:	300
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	80 ns
典型接通延迟时间:	27 ns
单位重量:	6 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线，配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

Q级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET设计用于硬开关和谐振模式应用。它们具有低栅极电荷、出色的耐用性以及快速本征二极管。IXYS Q级HiPerFET™ 功率MOSFET采用诸多标准工业封装包括隔离型封装。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.