IXFN20N120

IXYS
747-IXFN20N120
IXFN20N120

制造商：

说明：
MOSFET模块 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET模块
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
20 A
750 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
780 W
IXFN20N120
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 20 ns
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
产品类型: MOSFET Modules
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 10
子类别: Discrete and Power Modules
商标名: HyperFET
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 25.07 mm
单位重量: 30 g
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
最少： 10   倍数： 10
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥223.2541 ¥2,232.54
¥193.0605 ¥19,306.05
¥182.8001 ¥91,400.05
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