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现货

RoHS

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IXFN38N100Q2

IXYS

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFN38N100Q2

制造商编号：

IXFN38N100Q2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 38 Amps 1000V 0.25 Rds

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IXFN38N100Q2 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
Id-连续漏极电流:	38 A
Rds On-漏源导通电阻:	250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	890 W
系列:	IXFN38N100
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	15 ns
高度:	9.6 mm
长度:	38.23 mm
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	28 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	HiPerFET
典型关闭延迟时间:	57 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
宽度:	25.42 mm
单位重量:	30 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFN38N100Q2 数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

IXYS

IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET

提供200V额定电压、340A至500A电流范围，采用SOT-227B封装。

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供货情况

库存：: 无库存

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生产周期：: 23 周预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 300 倍数： 10

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥533.3487	¥160,004.61