IXFP30N60X

Name: IXYS IXFP30N60X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP30N60X
Price: 37.19 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFP30N60X

制造商编号：

IXFP30N60X

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP

数据表:

IXFP30N60X 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFP30N60X详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	155 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	56 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	500 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	33 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	43 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	21 ns
单位重量:	2 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFP30N60X 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

850V超结X级HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计，具有低导通电阻 RDS_(ON) 和低 Q_G 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。
了解详情

非车载充电器子单元电源转换器

Littelfuse非车载充电器子单元电源转换器用于能够在30分钟内将SOC充电至80%的直流充电站。这些快速充电应用需要模块化电源转换器，可以并联满足不同功率的需求，从而实现快速充电。最关键的参数是能量密度和系统效率。直流充电站中的子单元电源转换器由集成在充电站中的交流/直流电源级和直流/直流电源级组成。

X-Class Power MOSFETs

IXYS X-Class Power MOSFETs are high-power density N-Channel Enhancement Mode MOSFETs. They are easy to mount and have a low R_DS(ON) and Q_Gwith a low package inductance. Typical applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters and PFC circuits.