IXFQ80N25X3

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Mouser编号：

747-IXFQ80N25X3

制造商编号：

IXFQ80N25X3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET TO3P 250V 80A N-CH X3CLASS

寿命周期:

停产

数据表:

IXFQ80N25X3 数据表

ECAD模型:

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发货提醒：

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3P-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	83 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	290 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	38 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
系列:	IXFQ80N25X3
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	65 ns
典型接通延迟时间:	30 ns

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PCN

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合规代码

ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

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