IXFT320N10T2

IXYS
747-IXFT320N10T2
IXFT320N10T2

制造商：

说明：
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

数据表:
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IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
320 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
430 nC
- 55 C
+ 175 C
1 kW
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 73 ns
正向跨导 - 最小值: 80 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 46 ns
系列: IXFT320N10
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 73 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 6.500 g
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统 提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供 电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线，配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。  燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统 为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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3,510
1,710
预期 2026/10/19
1,800
预期 2026/11/23
生产周期：
34
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
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