IXFT88N30P

Name: IXYS IXFT88N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT88N30P
Price: 142.74 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXFT88N30P

制造商编号：

IXFT88N30P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A

数据表:

IXFT88N30P 数据表

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制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D3PAK-3 (TO-268-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	300 V
Id-连续漏极电流:	88 A
Rds On-漏源导通电阻:	40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	180 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	600 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	25 ns
正向跨导 - 最小值:	40 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	IXFT88N30
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	96 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
单位重量:	6.500 g

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Polar HiPerFET功率MOSFET

IXYS Polar™ HiPerFET功率MOSFET将Polar标准产品系列的优势与更快的体二极管结合在一起。体二极管拥有更短的反向恢复时间 (t_rr)，使其可用于移相桥电机控制和不间断电源应用 (UPS)。该系列MOSFET拥有极低的R_DS(on)、低R_thJC、低Q_g和增强的dv/dt能力。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线，配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.