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现货

RoHS

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IXGH16N60B2

IXYS

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXGH16N60B2

制造商编号：

IXGH16N60B2

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 16A

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IXGH16N60B2 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247AD-3
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
系列:	IXGH16N60
封装:	Tube
商标:	IXYS
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXGH16N60B2 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541900080
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 不可用
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

IXYS

具有650V额定电压、35A至220A电流范围以及低栅极电荷。

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XPT™ GenX5™沟槽式IGBT

第5代沟槽式IGBT，具有方形反向偏置安全工作区和650V击穿电压。

了解更多的信息

IXGA20N250HV高压IGBT

方形RBSOA、10μs短路能力，具有2500V V_CES、12A I_C110和3.1V V_CE(sat)。

了解更多的信息

IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

3000V、14A器件，结合了MOSFET和IGBT的优势。

了解更多的信息

IXYx110N120A4 1200 V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

具有超低V_sat，设计用于高达5kHz的开关频率。

了解更多的信息

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 请求交付报价

输入数量：

最少： 30 倍数： 30

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥28.4534	¥853.60
	¥21.1762	¥2,541.14
	¥17.6958	¥9,024.86
	¥16.4641	¥16,793.38
	¥15.3906	¥38,784.31

可能的更换

IXYS IXGH28N60B3D1

制造商：

IXYS

制造商编号：

IXGH28N60B3D1

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3

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