IXTA100N04T2-TRL

Name: IXYS IXTA100N04T2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA100N04T2-TRL
Price: 12.66 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXTA100N04T2-TRL

制造商编号：

IXTA100N04T2-TRL

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET IXTA100N04T2 TRL

数据表:

IXTA100N04T2-TRL 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	25.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchT2
封装:	Reel
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	6.4 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.2 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	15.8 ns
典型接通延迟时间:	12 ns
单位重量:	4 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchT2™标准/HiPerFET 功率MOSFET

Littelfuse TrenchT2™标准和HiPerFET™功率MOSFET是增强模式、单通道或双通道MOSFET，具有大电流承载能力（高达600A）。这些器件在-55°C至+175°C宽工作温度范围内具有低漏源导通电阻（3.5mΩ至22mΩ）和栅极电荷（25.5nC至178nC）。TrenchT2 MOSFET采用各种紧凑型封装，非常适合用于低压、大电流功率转换系统。