IXTH20N65X

Name: IXYS IXTH20N65X
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH20N65X
Price: 87.55 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXTH20N65X

制造商编号：

IXTH20N65X

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 650V/9A Power MOSFET

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	20 A
Rds On-漏源导通电阻:	210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	320 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	22 ns
正向跨导 - 最小值:	9 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	30 ns
系列:	X-Class
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	46 ns
典型接通延迟时间:	18 ns
单位重量:	6 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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