IXTQ470P2

Name: IXYS IXTQ470P2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ470P2
Price: 76.27 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXTQ470P2

制造商编号：

IXTQ470P2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET PolarP2 Power MOSFET

数据表:

IXTQ470P2 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3P-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	500 V
Id-连续漏极电流:	42 A
Rds On-漏源导通电阻:	145 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	830 W
商标名:	Polar2 HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	IXTQ470
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	1.600 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs

IXYS Polar2™ HiPerFET™ MOSFETs are offered with drain current ratings of 24, 42, 52, 74, 94, and 120 Amperes. These high-performance devices retain all the features and advantages of the PolarP2 Standard versions, with the added benefit of a fast intrinsic rectifier for increased turn-off dV/dt immunity and low reverse recovery speeds (t_rr <=250ns).