IXTQ48N65X2M

Name: IXYS IXTQ48N65X2M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTQ48N65X2M
Price: 66.61 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

747-IXTQ48N65X2M

制造商编号：

IXTQ48N65X2M

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS

数据表:

IXTQ48N65X2M 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-3PFP-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	48 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	70 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	24 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	50 ns
典型接通延迟时间:	19 ns

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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