IXTY14N60X2

Name: IXYS IXTY14N60X2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY14N60X2
Price: 51.31 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXTY14N60X2

制造商编号：

IXTY14N60X2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET TO252 600V 14A N-CH X2CLASS

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

IXTY14N60X2 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	14 A
Rds On-漏源导通电阻:	250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	16.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	180 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	7 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
系列:	IXTY14N60X2
工厂包装数量:	70
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	75 ns
典型接通延迟时间:	23 ns
单位重量:	330 mg

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

X2级TO-220和TO-252封装功率MOSFET

IXYS X2级TO-220和TO-252封装功率MOSFET具有600V额定击穿电压、14A连续漏极电流和250mΩ 电阻。这些MOSFET耐雪崩，具有高功率密度，采用易于安装、低电感的国际标准封装。IXYS X2级功率MOSFET非常适合用于直流-直流转换器、PFC电路、机器人技术、伺服控制以及开关模式和谐振模式电源。