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IXYT55N120A4HV

Name: IXYS IXYT55N120A4HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXYT55N120A4HV
Price: 124.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXYT55N120A4HV

制造商编号：

IXYT55N120A4HV

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Discrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HV

数据表:

IXYT55N120A4HV 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	D3PAK-3 (TO-268-3)
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.8 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	175 A
Pd-功率耗散:	650 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	Trench
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	350 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
商标名:	XPT

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 韩国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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IXYS沟槽式650V至1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽式IGBT工艺进行开发。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

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