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MMIX1F40N110P

Name: IXYS MMIX1F40N110P
Brand: IXYS
SKU: 747-MMIX1F40N110P
Price: 423.83 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-MMIX1F40N110P

制造商编号：

MMIX1F40N110P

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET SMPD MOSFET Power Device

数据表:

MMIX1F40N110P 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SMPD-24
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.1 kV
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	290 mOhms
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
产品类型:	MOSFETs
系列:	MMIX1F40N110
工厂包装数量:	20
子类别:	Transistors
单位重量:	8 g

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PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541900080
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

商用与战术无人机系统

Littelfuse 商用和战术无人机系统提供锂离子电池保护、电池充电器和电源分配解决方案。这些系统提供用于输入保护/过电流保险丝、用于半导体开关的MOSFET和用于DC输出瞬态/浪涌保护的TVS二极管。商用和战术无人机系统提供>60V的电池保护，并提供主电池组故障隔离、电池断开/电源路径控制（预充电支持）和分支电路过电流。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事、边境监视、农业、交付/物流、检查和公共安全。

燃油/混合动力军用无人机系统

Littelfuse 燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统提供电源转换和直流总线、配电以及充电器/地面电源解决方案。这些系统支持电源转换和直流总线，配有可将交流线路转换为直流线路的整流器二极管。燃油/混合动力军用无人机 (UAV) 系统为半导体开关、浪涌保护和整流应用提供 TVS二极管、保险丝和MOSFET。这些系统提供符合AEC-Q/MIL标准的各类产品。典型应用包括情报、监视和侦察（ISR）、军事和边境监视。

无人机子系统

Littelfuse 无人机子系统提供USB-C PD和锂离子电池充电器、电池组系统和BLDC电机的解决方案。这些子系统提供各种功能的保险丝，包括AC输入过电流保护和故障隔离、电池和下游控制器的保护、电池组、线路和控制器的保护。无人机子系统提供TVS二极管，用于主要侧开关瞬态抑制和电池监控IC感知线输入过电压保护。这些子系统适用于各种无人机，包括玩具、相机、第一人称视角（FPV）、企业、工业、情报、监视和侦察（ISR）、检查/测绘、农业和重型升力无人机。典型应用包括快递/物流、公共安全、边境监控和军事。

HiPerFET和MOSFET功率器件

IXYS HiPerFET和MOSFET功率器件采用SMPD封装，重量比同类传统功率模块轻得多（通常为50%）。这使得设计人员能够创建重量轻的电源系统。由于采用紧凑的超薄型封装，因此可以为多个器件使用相同的散热片，从而节省PCB空间。尺寸更小、重量更轻的另一个优点是，它能提供更好的振动和G力防护，特别是用于便携式设备中时。该优势还增加了器件的预期寿命，提高了可靠性。

表面贴装功率器件 (SMPD)

IXYS表面贴装功率器件 (SMPD) 提供创新解决方案，可为众多功率电子应用提供多种设计优化机会。SMPD封装的重量仅为8g，通常比同类传统功率模块轻50%，从而实现更轻巧的功率系统。由于采用DCB内部绝缘，因而多个器件可以使用同一散热器，从而减少热管理工作量。尺寸更小、重量更轻的另一个优点是，它具有更强的抗振动和G力能力，特别是用于便携式设备时，可以延长这些器件的使用寿命，并提升它们的可靠性。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.