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AIMDQ75R011M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R011M2HXT
Price: 205.62 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-AIMDQ75R011M2HXT

制造商编号：

AIMDQ75R011M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK top-side cooled package, 11 m

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

AIMDQ75R011M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-HDSOP-22
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	148 A
Rds On-漏源导通电阻:	22 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	106 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	555 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	48 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	SiC MOSFETS
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14 ns
工厂包装数量:	750
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Power Device
典型关闭延迟时间:	31 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	AIMDQ75R011M2H

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数据表

AIMDQ75R011M2HXTMA1 数据表 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的R_DS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，可为设计人员提供灵活方案，实现导通与开关性能的优化。