AIMDQ75R020M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R020M2HXT
Price: 138.93 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-AIMDQ75R020M2HXT

制造商编号：

AIMDQ75R020M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

AIMDQ75R020M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-HDSOP-22
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	86 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	-7 V to + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.5 V
Qg-栅极电荷:	59 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	340 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	7 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	SiC MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	10 ns
工厂包装数量:	750
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Automotive Power Device
典型关闭延迟时间:	22 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	AIMDQ75R020M2H SP006089223

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的R_DS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，可为设计人员提供灵活方案，实现导通与开关性能的优化。