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BSZ060NE2LS

Name: Infineon BSZ060NE2LS
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ060NE2LS
Price: 2.15 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-BSZ060NE2LS

制造商编号：

BSZ060NE2LS

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

数据表:

BSZ060NE2LS 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSDSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	9.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	26 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	1.8 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.2 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	11 ns
典型接通延迟时间:	2.5 ns
零件号别名:	SP000776122 BSZ6NE2LSXT BSZ060NE2LSATMA1
单位重量:	112.430 mg

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已选择的属性: 0

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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