FP50R12N2T7PBPSA1

Name: Infineon FP50R12N2T7PBPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP50R12N2T7PBPSA
Price: 594.75 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-FP50R12N2T7PBPSA

制造商编号：

FP50R12N2T7PBPSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

IGBT 模块 1200 V, 50 A PIM IGBT module

数据表:

FP50R12N2T7PBPSA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
在25 C的连续集电极电流:	50 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:	20 V
安装风格:	Through Hole
产品类型:	IGBT Modules
工厂包装数量:	10
子类别:	IGBTs
技术:	Si
零件号别名:	FP50R12N2T7P SP005407056

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 匈牙利
组装原产国/地区:: 匈牙利
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。