IKW50N65F5

Name: Infineon IKW50N65F5
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65F5-ES
Price: 20.28 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

726-IKW50N65F5-ES

制造商编号：

IKW50N65F5

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY

数据表:

IKW50N65F5 数据表 (PDF)

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制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	305 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP 5 F5
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKW50N65F5FKSA1 SP000973420 IKW50N65F5FKSA1

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Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比，F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC（交流-直流）级和高压直流-直流拓扑。650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多，但回报也更高。