IMBF170R650M1XTMA1

Infineon Technologies
726-IMBF170R650M1XTM
IMBF170R650M1XTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
7.4 A
650 mOhms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
8 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 0.65 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 16 ns
系列: CoolSiC 1700V
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: IMBF170R650M1 SP002739686
单位重量: 1.600 g
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
奥地利
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
奥地利
发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1700V SiC沟槽式MOSFET采用革命性的碳化硅材料，优化用于反激式拓扑结构。该SiC沟槽式MOSFET具有12V/0V栅极-源极电压，兼容大多数反激式控制器。

库存量: 57

库存：
57
可立即发货
在途量:
2,000
生产周期：
52
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥52.9405 ¥52.94
¥31.7643 ¥317.64
¥25.4815 ¥2,548.15
¥22.9164 ¥11,458.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥21.0067 ¥21,006.70
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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