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IMBG120R078M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R078M2HXT
Price: 61.63 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IMBG120R078M2HXT

制造商编号：

IMBG120R078M2HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

数据表:

IMBG120R078M2HXTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	78.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.1 V
Qg-栅极电荷:	20.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	158 W
通道模式:	Enhancement
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	2 ns
正向跨导 - 最小值:	4.1 s
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	13.4 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
典型关闭延迟时间:	3.4 ns
典型接通延迟时间:	2 ns
零件号别名:	IMBG120R078M2H -

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数据表

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET为电力电子设备应用提供高性能解决方案。这些MOSFET具有出色的电气特性，且开关损耗极低，可实现高效运行。该1200V G2 MOSFET设计适合过载条件，支持温度高达200°C的工作条件，并可承受长达2μs的短路。这些设备具有4.2V基准栅极阈值电压V_GS(th)，可实现精确控制。CoolSiC MOSFET 1200V G2提供三种封装形式，在第一代技术优势的基础上进一步优化，面向更具成本效益、高效率、紧凑型、易于设计且可靠性更高的系统提供先进解决方案。第2代显著提高了硬/软开关拓扑的关键性能指标，非常适合所有常见的DC-DC、AC-DC和DC-AC级组合。

CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。